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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.62 |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 42.925 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 组织： | 128KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 9.52 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1645EE-70-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1645EE-85 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 85ns, CMOS, PDIP32, |
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| DS1645J | ETC |
获取价格 |
Memory Driver |
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| DS1645Y-100 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 100ns, CMOS, |
|
| DS1645Y-100-IND | DALLAS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| DS1645Y-120 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 120ns, CMOS, |
|
| DS1645Y-120-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 120ns, CMOS, |
|
| DS1645Y-70 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS, |
|
| DS1645Y-70-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1645Y-85-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
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