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DS1645ABLPM-100IND

更新时间: 2024-11-19 14:49:31
品牌 Logo 应用领域
达拉斯 - DALLAS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 176K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 100ns, CMOS,

DS1645ABLPM-100IND 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.74最长访问时间:100 ns
其他特性:DATA RETENTION = 10 YRSJESD-30 代码:R-XDFP-U34
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:34
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:J INVERTED
端子位置:DUALBase Number Matches:1

DS1645ABLPM-100IND 数据手册

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