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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.74 | 最长访问时间： | 85 ns |
| 其他特性： | 10 YEAR DATA RETENTION | JESD-30 代码： | R-XDSO-U34 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 34 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装等效代码： | MODULE,34LEAD,1.0 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.005 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.085 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | J INVERTED | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1645ABLPM-100 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1645ABLPM-100IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 100ns, CMOS, |
|
| DS1645ABLPM-70 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1645ABLPM-70-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1645EE | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, CMOS, PDIP32, 0.740 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
|
| DS1645EE | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, CMOS, PDIP32, |
|
| DS1645EE-70-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1645EE-85 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 85ns, CMOS, PDIP32, |
|
| DS1645J | ETC |
获取价格 |
Memory Driver |
|
| DS1645Y-100 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 100ns, CMOS, |
|
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