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Datasheet > 驱动程序和接口 > 线路驱动器或接收器> DS14C88N/NOPB
DS14C88N/NOPB PDF预览

DS14C88N/NOPB

更新时间： 2024-11-19 13:07:23
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 驱动器接口集成电路光电二极管输入元件
页数 文件大小 规格书
12页 762K
描述
Quad CMOS Line Driver 14-PDIP 0 to 70

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DS14C88N/NOPB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP14,.3
针数：14Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：1 week风险等级：7.52
其他特性：1 SINGLE INPUT DRIVER差分输出：NO
驱动器位数：4高电平输入电流最大值：0.00001 A
输入特性：GATED接口集成电路类型：LINE DRIVER
接口标准：EIA-232-D; V.28JESD-30 代码：R-PDIP-T14
JESD-609代码：e3长度：19.05 mm
湿度敏感等级：1标称负供电电压：-9 V
功能数量：4端子数量：14
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
最小输出摆幅：6 V封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP14,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE电源：+-4.5/+-12 V
认证状态：Not Qualified最大接收延迟：
座面最大高度：5.334 mm子类别：Line Driver or Receivers
最大供电电压：12.6 V最小供电电压：4.5 V
标称供电电压：9 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大传输延迟：6000 ns
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

DS14C88N/NOPB 数据手册

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DS14C88  
www.ti.com  
SNLS080C –MAY 1998–REVISED APRIL 2013  
DS14C88 Quad CMOS Line Driver  
Check for Samples: DS14C88  
1
FEATURES  
DESCRIPTION  
The DS14C88, pin-for-pin compatible to the  
DS1488/MC1488, is a quad line drivers designed to  
interface data terminal equipment (DTE) with data  
circuit-terminating equipment (DCE). This device  
translates standard TTL/CMOS logic levels to levels  
conforming to EIA-232-D and CCITT V.28 standards.  
2
•
•
•
•
Meets EIA-232D and CCITT V.28 Standards  
LOW Power Consumption  
Wide Power Supply Range: ±5V to ±12V  
Available in SOIC Package  
The device is fabricated in low threshold CMOS metal  
gate technology. The device provides very low power  
consumption compared to its bipolar equivalents: 500  
μA (DS14C88) versus 25 mA (DS1488).  
The DS14C88 simplifies designs by eliminating the  
need for external slew rate control capacitors. Slew  
rate control in accordance with EIA-232D is provided  
on-chip, eliminating the output capacitors.  
Connection Diagram  
Figure 1. SOIC or PDIP Package- Top View  
See Package Number NFF0014A or D0014A  
These devices have limited built-in ESD protection. The leads should be shorted together or the device placed in conductive foam  
during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates.  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
All trademarks are the property of their respective owners.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 1998–2013, Texas Instruments Incorporated  
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DS14C88N/NOPB 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

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