是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.44 |
最长访问时间: | 150 ns | 其他特性: | 10 YEARS MINIMUM DATA RETENTION |
JESD-30 代码: | R-XDMA-T28 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX8 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
DS1345W-150-IND | DALLAS | Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 150ns, CMOS, |
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DS1345W-150-IND | MAXIM | Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 150ns, CMOS |
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DS1345W-IND | MAXIM | 暂无描述 |
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DS1345WP-100 | DALLAS | 3.3V 1024k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
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DS1345WP-100 | ROCHESTER | 128KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA34, POWERCAP MODULE-34 |
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DS1345WP-100IND | ROCHESTER | 128KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA34, POWERCAP MODULE-34 |
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