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DS1270W-150

更新时间： 2024-09-24 14:41:51

品牌	Logo	应用领域
美信 - MAXIM		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	176K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 150ns, CMOS, 0.740 INCH, DIP-36

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DS1270W-150 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	MODULE	包装说明：	,
针数：	36	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8473.30.11.40
风险等级：	5.72	最长访问时间：	150 ns
JESD-30 代码：	R-XDMA-P36	JESD-609代码：	e0
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	36	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX8	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

DS1270W-150 数据手册

19-5614; Rev 11/10

DS1270W

3.3V 16Mb Nonvolatile SRAM

www.maxim-ic.com

FEATURES

PIN ASSIGNMENT

. Five years minimum data retention in the

absence of external power

A20

A18

A16

A14

A12

V_CC

A19

A15

A17

A13

. Data is automatically protected during power

loss

. Unlimited write cycles

. Low-power CMOS operation

. Read and write access times of 100ns

. Lithium energy source is electrically

disconnected to retain freshness until power is

applied for the first time

A11

A10

. Optional industrial (IND) temperature range

DQ7

DQ6

DQ5

of -40°C to +85°C

DQ0

DQ1

DQ4

DQ3

DQ2

GND

36-Pin Encapsulated Package

740mil Extended

PIN DESCRIPTION

A0–A20

DQ0–DQ7

- Address Inputs

- Data In/Data Out

- Chip Enable

- Write Enable

- Output Enable

- Power (+3.3V)

- Ground

V_CC

GND

- No Connect

DESCRIPTION

The DS1270W 16Mb nonvolatile (NV) SRAMs are 16,777,216-bit, fully static, NV SRAMs organized as

2,097,152 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control

circuitry that constantly monitors V_CCfor an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs,

the lithium energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to

prevent data corruption. There is no limit on the number of write cycles that can be executed, and no

additional support circuitry is required for microprocessor interfacing.

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DS1270W-150 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DS1270AB-70	MAXIM	类似代替	Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 70ns, CMOS, PDMA36, 0.740 INCH, DIP-36
DS1270W-100IND	MAXIM	类似代替	Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, 0.740 INCH, DIP-36

与DS1270W-150相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DS1270W-150#	ROCHESTER	获取价格	2MX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, DMA36, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36
DS1270W-150-IND	DALLAS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 2MX8, 150ns, CMOS, PDIP36,
DS1270Y	DALLAS	获取价格	16M Nonvolatile SRAM
DS1270Y	ADI	获取价格	16M非易失SRAM
DS1270Y/AB	ETC	获取价格	16M Nonvolatile SRAM
DS1270Y-100	DALLAS	获取价格	16M Nonvolatile SRAM
DS1270Y-100	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDMA36, 0.740 INCH, DIP-36
DS1270Y-100#	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDMA36, 0.740 INCH, DIP-36
DS1270Y-100IND	DALLAS	获取价格	16M Nonvolatile SRAM
DS1270Y-100-IND	ETC	获取价格	NVRAM (Battery Based)

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