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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 36 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8473.30.11.40 | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 100 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-P36 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 53.213 mm | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 36 |
| 字数： | 2097152 words | 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 2MX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 10.922 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| DS1270W-100IND | MAXIM |
完全替代  |
Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, 0.740 INCH, DIP-36 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1270W-150 | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 150ns, CMOS, 0.740 INCH, DIP-36 |
|
| DS1270W-150 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 2MX8, 150ns, CMOS, PDIP36, |
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| DS1270W-150 | ROCHESTER |
获取价格 |
2MX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, DMA36, 0.740 INCH, DIP-36 |
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| DS1270W-150# | ROCHESTER |
获取价格 |
2MX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, DMA36, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36 |
|
| DS1270W-150-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 2MX8, 150ns, CMOS, PDIP36, |
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| DS1270Y | DALLAS |
获取价格 |
16M Nonvolatile SRAM |
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| DS1270Y | ADI |
获取价格 |
16M非易失SRAM |
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| DS1270Y/AB | ETC |
获取价格 |
16M Nonvolatile SRAM |
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| DS1270Y-100 | DALLAS |
获取价格 |
16M Nonvolatile SRAM |
|
| DS1270Y-100 | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDMA36, 0.740 INCH, DIP-36 |
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