是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | MODULE |
包装说明: | 0.740 INCH, DIP-36 | 针数: | 36 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.8 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 100 ns |
JESD-30 代码: | R-XDMA-P36 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | NOT SPECIFIED |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 36 |
字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2MX8 | |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 认证状态: | COMMERCIAL |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DS1270W-100IND | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, 0.740 INCH, DIP-36 | |
DS1270W-100IND | ROCHESTER |
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2MX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA36, 0.740 INCH, DIP-36 | |
DS1270W-100-IND | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM, 2MX8, 100ns, CMOS, PDIP36, | |
DS1270W-100IND# | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDIP36, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, EDIP-36 | |
DS1270W-150 | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 150ns, CMOS, 0.740 INCH, DIP-36 | |
DS1270W-150 | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM, 2MX8, 150ns, CMOS, PDIP36, | |
DS1270W-150 | ROCHESTER |
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2MX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, DMA36, 0.740 INCH, DIP-36 | |
DS1270W-150# | ROCHESTER |
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2MX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, DMA36, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36 | |
DS1270W-150-IND | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM, 2MX8, 150ns, CMOS, PDIP36, | |
DS1270Y | DALLAS |
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16M Nonvolatile SRAM |