是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.8 |
最长访问时间: | 100 ns | JESD-30 代码: | R-PDIP-T36 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度: | 8 |
端子数量: | 36 | 字数: | 2097152 words |
字数代码: | 2000000 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2MX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP36,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.0002 A |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.05 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DS1270W-100IND | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, 0.740 INCH, DIP-36 | |
DS1270W-100IND | ROCHESTER |
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2MX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA36, 0.740 INCH, DIP-36 | |
DS1270W-100-IND | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM, 2MX8, 100ns, CMOS, PDIP36, | |
DS1270W-100IND# | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDIP36, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, EDIP-36 | |
DS1270W-150 | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 150ns, CMOS, 0.740 INCH, DIP-36 | |
DS1270W-150 | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM, 2MX8, 150ns, CMOS, PDIP36, | |
DS1270W-150 | ROCHESTER |
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2MX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, DMA36, 0.740 INCH, DIP-36 | |
DS1270W-150# | ROCHESTER |
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2MX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, DMA36, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-36 | |
DS1270W-150-IND | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM, 2MX8, 150ns, CMOS, PDIP36, | |
DS1270Y | DALLAS |
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16M Nonvolatile SRAM |