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DS1270AB-100

更新时间： 2024-09-24 20:33:51

品牌	Logo	应用领域
美信 - MAXIM		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	180K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDMA36, 0.740 INCH, DIP-36

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DS1270AB-100 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	MODULE	包装说明：	,
针数：	36	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8473.30.11.40
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	100 ns
其他特性：	5 YEAR DATA RETENTION	JESD-30 代码：	R-PDMA-P36
JESD-609代码：	e0	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM MODULE	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	36
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

DS1270AB-100 数据手册

19-5615; Rev 11/10

DS1270Y/AB

16M Nonvolatile SRAM

www.maxim-ic.com

FEATURES

PIN ASSIGNMENT

. 5 years minimum data retention in the

absence of external power

A20

A18

A16

A14

A12

V_CC

A19

A15

A17

A13

. Data is automatically protected during power

loss

. Unlimited write cycles

. Low-power CMOS operation

. Read and write access times of 70 ns

. Lithium energy source is electrically

disconnected to retain freshness until power is

applied for the first time

. Full ±10% V_CCoperating range (DS1270Y)

. Optional ±5% V_CCoperating range

(DS1270AB)

A11

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ0

DQ1

. Optional industrial temperature range of

DQ4

DQ3

DQ2

GND

-40°C to +85°C, designated IND

36-Pin ENCAPSULATED PACKAGE

740-mil EXTENDED

PIN DESCRIPTION

A0 – A20

DQ0 - DQ7

- Address Inputs

- Data In/Data Out

- Chip Enable

- Write Enable

- Output Enable

- Power (+5V)

- Ground

V_CC

GND

- No Connect

DESCRIPTION

The DS1270 16M Nonvolatile SRAMs are 16,777,216-bit, fully static nonvolatile SRAMs organized as

2,097,152 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control

circuitry which constantly monitors V_CCfor an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs,

the lithium energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to

prevent data corruption. There is no limit on the number of write cycles which can be executed and no

additional support circuitry is required for microprocessor interfacing.

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DS1270AB-100 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DS1270AB-70IND	MAXIM	类似代替	Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 70ns, CMOS, PDMA36, 0.740 INCH, DIP-36
DS1270W-100IND	MAXIM	类似代替	Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, 0.740 INCH, DIP-36

与DS1270AB-100相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DS1270AB-100IND	DALLAS	获取价格	16M Nonvolatile SRAM
DS1270AB-100-IND	ETC	获取价格	NVRAM (Battery Based)
DS1270AB-70	DALLAS	获取价格	16M Nonvolatile SRAM
DS1270AB-70	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 70ns, CMOS, PDMA36, 0.740 INCH, DIP-36
DS1270AB-70#	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 70ns, CMOS, PDIP36, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, EDIP-36
DS1270AB-70#	ROCHESTER	获取价格	2MX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, PDIP36, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, EDIP-36
DS1270AB-70IND	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 70ns, CMOS, PDMA36, 0.740 INCH, DIP-36
DS1270AB-70IND	DALLAS	获取价格	16M Nonvolatile SRAM
DS1270AB-70-IND	ETC	获取价格	NVRAM (Battery Based)
DS1270AB-IND	DALLAS	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 70ns, CMOS, PDIP36,

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