是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.8 |
最长访问时间: | 100 ns | JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度: | 8 |
端子数量: | 32 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP32,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.00015 A |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.05 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DS1249W-150 | DALLAS |
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3.3V 2048kb Nonvolatile SRAM | |
DS1249W-150 | ROCHESTER |
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256KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, DMA32, 0.740 INCH, DIP-32 | |
DS1249W-150-IND | DALLAS |
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3.3V 2048kb Nonvolatile SRAM | |
DS1249Y | DALLAS |
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2048k Nonvolatile SRAM | |
DS1249Y | ADI |
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2048k非易失SRAM | |
DS1249Y/AB | ETC |
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2048K Nonvolatile SRAM | |
DS1249Y100 | DALLAS |
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2048k Nonvolatile SRAM | |
DS1249Y-100 | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1249Y-100IND | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, DIP-32 | |
DS1249Y-100-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |