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DS1249AB-85IND

更新时间： 2024-10-30 14:11:47

品牌	Logo	应用领域
美信 - MAXIM		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	191K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, CMOS, 0.740 INCH, DIP-32

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DS1249AB-85IND 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	MODULE	包装说明：	,
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
JESD-30 代码：	R-XDMA-P32	JESD-609代码：	e0
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX8	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

DS1249AB-85IND 数据手册

19-5631; Rev 11/10

DS1249Y/AB

2048k Nonvolatile SRAM

www.maxim-ic.com

FEATURES

PIN ASSIGNMENT

. 10 years minimum data retention in the

absence of external power

A16

A14

A12

V_CC

A15

A17

A13

. Data is automatically protected during power

loss

. Unlimited write cycles

. Low-power CMOS operation

. Read and write access times of 70 ns

. Lithium energy source is electrically

disconnected to retain freshness until power is

applied for the first time

. Full ± 10% V_CCoperating range (DS1249Y)

. Optional ± 5% V_CCoperating range

(DS1249AB)

A11

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

DQ0

DQ1

DQ2

GND

. Optional industrial temperature range of

-40°C to +85°C, designated IND

. JEDEC standard 32-pin DIP package

32-Pin ENCAPSULATED PACKAGE

740-mil EXTENDED

PIN DESCRIPTION

A0 - A17

DQ0 - DQ7

- Address Inputs

- Data In/Data Out

- Chip Enable

- Write Enable

- Output Enable

- Power (+5V)

- Ground

V_CC

GND

- No Connect

DESCRIPTION

The DS1249 2048k Nonvolatile SRAMs are 2,097,152-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as

262,144 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry

which constantly monitors V_CCfor an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs, the

lithium energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to

prevent data corruption. There is no limit on the number of write cycles which can be executed and no

additional support circuitry is required for microprocessor interfacing.

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DS1249AB-85IND 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DS1249AB-70IND#	MAXIM	功能相似	Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, DIP-32

与DS1249AB-85IND相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DS1249AB-85IND#	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32
DS1249AB-IND	DALLAS	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 70ns, CMOS, PDIP32,
DS1249ABP	DALLAS	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 70ns, CMOS, PDIP32,
DS1249ABP	MAXIM	获取价格	暂无描述
DS1249ABP-IND	MAXIM	获取价格	暂无描述
DS1249W	MAXIM	获取价格	module device DS1249W RELIABILITY REPORT
DS1249W	DALLAS	获取价格	3.3V 2048kb Nonvolatile SRAM
DS1249W-100	DALLAS	获取价格	3.3V 2048kb Nonvolatile SRAM
DS1249W-100#	ROCHESTER	获取价格	256KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DIP32, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32
DS1249W-100IND	ROCHESTER	获取价格	256KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA32, 0.740 INCH, DIP-32

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