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DS1249AB-70IND

更新时间： 2024-10-30 14:11:47

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美信 - MAXIM		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	191K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, DIP-32

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DS1249AB-70IND 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	,	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8473.30.11.40	风险等级：	5.48
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	10 YEAR DATA RETENTION	JESD-30 代码：	R-XDMA-P32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM MODULE	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX8
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

DS1249AB-70IND 数据手册

19-5631; Rev 11/10

DS1249Y/AB

2048k Nonvolatile SRAM

www.maxim-ic.com

FEATURES

PIN ASSIGNMENT

. 10 years minimum data retention in the

absence of external power

A16

A14

A12

V_CC

A15

A17

A13

. Data is automatically protected during power

loss

. Unlimited write cycles

. Low-power CMOS operation

. Read and write access times of 70 ns

. Lithium energy source is electrically

disconnected to retain freshness until power is

applied for the first time

. Full ± 10% V_CCoperating range (DS1249Y)

. Optional ± 5% V_CCoperating range

(DS1249AB)

A11

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

DQ0

DQ1

DQ2

GND

. Optional industrial temperature range of

-40°C to +85°C, designated IND

. JEDEC standard 32-pin DIP package

32-Pin ENCAPSULATED PACKAGE

740-mil EXTENDED

PIN DESCRIPTION

A0 - A17

DQ0 - DQ7

- Address Inputs

- Data In/Data Out

- Chip Enable

- Write Enable

- Output Enable

- Power (+5V)

- Ground

V_CC

GND

- No Connect

DESCRIPTION

The DS1249 2048k Nonvolatile SRAMs are 2,097,152-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as

262,144 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry

which constantly monitors V_CCfor an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs, the

lithium energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to

prevent data corruption. There is no limit on the number of write cycles which can be executed and no

additional support circuitry is required for microprocessor interfacing.

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DS1249AB-70IND 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DS1249AB-70IND#	MAXIM	类似代替	Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, DIP-32

与DS1249AB-70IND相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DS1249AB-70-IND	ETC	获取价格	NVRAM (Battery Based)
DS1249AB-70IND#	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, DIP-32
DS1249AB-85	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, CMOS, 0.740 INCH, DIP-32
DS1249AB-85#	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32
DS1249AB-85IND	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, CMOS, 0.740 INCH, DIP-32
DS1249AB-85IND#	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32
DS1249AB-IND	DALLAS	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 70ns, CMOS, PDIP32,
DS1249ABP	DALLAS	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 70ns, CMOS, PDIP32,
DS1249ABP	MAXIM	获取价格	暂无描述
DS1249ABP-IND	MAXIM	获取价格	暂无描述

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