Datasheet > DS1249AB-100#

DS1249AB-100#

更新时间： 2024-09-13 14:49:07

品牌	Logo	应用领域
美信 - MAXIM		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	185K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, 0.740 INCH, DIP-32

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DS1249AB-100# 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	,	针数：	32
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	100 ns
其他特性：	10 YEAR DATA RETENTION	JESD-30 代码：	R-XDMA-P32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM MODULE	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX8
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

DS1249AB-100# 数据手册

DS1249Y/AB

2048k Nonvolatile SRAM

www.maxim-ic.com

FEATURES

PIN ASSIGNMENT

Cꢀ10 years minimum data retention in the

absence of external power

A16

A14

A12

V_CC

A15

A17

A13

CꢀData is automatically protected during power

loss

CꢀUnlimited write cycles

CꢀLow-power CMOS operation

CꢀRead and write access times as fast as 70 ns

CꢀLithium energy source is electrically

disconnected to retain freshness until power is

applied for the first time

A11

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

DQ0

DQ1

DQ2

GND

CꢀFull Mꢀ10% V_CCoperating range (DS1249Y)

CꢀOptional Mꢀ5% V_CCoperating range

(DS1249AB)

CꢀOptional industrial temperature range of

-40LC to +85LC, designated IND

CꢀJEDEC standard 32-pin DIP package

32-Pin ENCAPSULATED PACKAGE

740-mil EXTENDED

PIN DESCRIPTION

A0 - A17

DQ0 - DQ7

- Address Inputs

- Data In/Data Out

- Chip Enable

- Write Enable

- Output Enable

- Power (+5V)

- Ground

V_CC

GND

- No Connect

DESCRIPTION

The DS1249 2048k Nonvolatile SRAMs are 2,097,152-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as

262,144 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry

which constantly monitors V_CCfor an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs, the

lithium energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to

prevent data corruption. There is no limit on the number of write cycles which can be executed and no

additional support circuitry is required for microprocessor interfacing.

1 of 8

083006

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与DS1249AB-100#相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DS1249AB-100-IND	ETC	获取价格	NVRAM (Battery Based)
DS1249AB70	DALLAS	获取价格	2048k Nonvolatile SRAM
DS1249AB-70	ETC	获取价格	NVRAM (Battery Based)
DS1249AB-70IND	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, DIP-32
DS1249AB-70-IND	ETC	获取价格	NVRAM (Battery Based)
DS1249AB-70IND#	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, DIP-32
DS1249AB-85	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, CMOS, 0.740 INCH, DIP-32
DS1249AB-85#	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32
DS1249AB-85IND	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, CMOS, 0.740 INCH, DIP-32
DS1249AB-85IND#	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32

与DS1249AB-100#相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

78
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

69
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

99
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

113

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DS1249AB-100#

DS1249AB-100# 技术参数

DS1249AB-100# 数据手册

与DS1249AB-100#相关器件

与DS1249AB-100#相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DS1249AB-100#

DS1249AB-100# 技术参数

DS1249AB-100# 数据手册

与DS1249AB-100#相关器件

与DS1249AB-100#相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？