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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DMA |
| 包装说明： | POWERCAP MODULE-34 | 针数： | 34 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.68 |
| 最长访问时间： | 100 ns | 其他特性： | 10 YEAR DATA RETENTION |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-P34 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 25.019 mm | 内存密度： | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 34 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256KX8 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 23.495 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1230WP-100-IND | MAXIM |
获取价格 |
32KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA34, POWERCAP MODULE-34 |
|
| DS1230WP-100IND+ | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34 |
|
| DS1230WP-150 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1230WP-150+ | ROCHESTER |
获取价格 |
256KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, DMA34, ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34 |
|
| DS1230WP-150+ | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 150ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34 |
|
| DS1230WP-150-IND | DALLAS |
获取价格 |
3.3V 256k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1230WP-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 150ns, CMOS, |
|
| DS1230Y | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1230Y | ADI |
获取价格 |
256k非易失SRAM |
|
| DS1230Y/AB | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
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