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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DMA |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34 | 针数： | 34 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.36 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 100 ns |
| 其他特性： | 10 YEAR DATA RETENTION | JESD-30 代码： | R-XDMA-P34 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 25.019 mm |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 34 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256KX8 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装等效代码： | MODULE,34LEAD,1.0 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.00025 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 23.495 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1230WP-150 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1230WP-150+ | ROCHESTER |
获取价格 |
256KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, DMA34, ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34 |
|
| DS1230WP-150+ | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 150ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34 |
|
| DS1230WP-150-IND | DALLAS |
获取价格 |
3.3V 256k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1230WP-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 150ns, CMOS, |
|
| DS1230Y | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1230Y | ADI |
获取价格 |
256k非易失SRAM |
|
| DS1230Y/AB | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1230Y_10 | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1230Y-100 | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
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