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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-28 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.62 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 150 ns | 其他特性： | 10 YEARS MINIMUM DATA RETENTION |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32KX8 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.00015 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1230W-150+ | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28 |
|
| DS1230W-150-IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 150ns, CMOS, 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-28 |
|
| DS1230WP | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 150ns, CMOS, |
|
| DS1230WP-100+ | MAXIM |
获取价格 |
3.3V 256k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1230WP-100IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, POWERCAP MODULE-34 |
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| DS1230WP-100IND | ROCHESTER |
获取价格 |
256KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA34, POWERCAP MODULE-34 |
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| DS1230WP-100-IND | MAXIM |
获取价格 |
32KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA34, POWERCAP MODULE-34 |
|
| DS1230WP-100IND+ | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34 |
|
| DS1230WP-150 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1230WP-150+ | ROCHESTER |
获取价格 |
256KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, DMA34, ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34 |
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