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DS1230W-100IND

更新时间: 2024-11-06 14:49:07
品牌 Logo 应用领域
美信 - MAXIM 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 186K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.740 INCH, DIP-28

DS1230W-100IND 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP28,.6针数:28
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8473.30.11.40风险等级:5.38
最长访问时间:100 ns其他特性:10 YEAR DATA RETENTION
JESD-30 代码:R-PDIP-T28JESD-609代码:e0
长度:38.225 mm内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:10.668 mm
最大待机电流:0.00015 A子类别:SRAMs
最大压摆率:0.05 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

DS1230W-100IND 数据手册

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19-5636; Rev 11/10  
DS1230W  
3.3V 256k Nonvolatile SRAM  
www.maxim-ic.com  
FEATURES  
PIN ASSIGNMENT  
. 10 years minimum data retention in the  
absence of external power  
VCC  
A14  
A12  
A7  
1
28  
27  
WE  
A13  
A8  
2
3
4
26  
25  
. Data is automatically protected during power  
loss  
. Replaces 32k x 8 volatile static RAM,  
EEPROM or Flash memory  
. Unlimited write cycles  
. Low-power CMOS  
A6  
A9  
A11  
OE  
A10  
CE  
DQ7  
DQ6  
A5  
A4  
5
6
24  
23  
A3  
A2  
7
8
22  
21  
A1  
9
20  
19  
A0  
10  
. Read and write access times of 100ns  
. Lithium energy source is electrically  
disconnected to retain freshness until power is  
applied for the first time  
. Optional industrial temperature range of  
-40°C to +85°C, designated IND  
. JEDEC standard 28-pin DIP package  
. PowerCap Module (PCM) package  
DQ0  
11  
12  
18  
17  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
DQ1  
DQ2  
GND  
13  
14  
16  
15  
28-Pin Encapsulated Package  
740-Mil Extended  
34  
NC  
NC  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
1
NC  
NC  
NC  
33  
32  
31  
30  
2
-
-
Directly surface-mountable module  
Replaceable snap-on PowerCap provides  
lithium backup battery  
3
4
5
6
7
8
9
NC  
VCC  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
WE  
OE  
CE  
-
-
Standardized pinout for all nonvolatile  
SRAM products  
Detachment feature on PowerCap allows  
easy removal using a regular screwdriver  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
VBAT  
GND  
DQ2  
DQ1  
DQ0  
GND  
34-Pin PowerCap Module (PCM)  
(Uses DS9034PC+ or DS9034PCI+ PowerCap)  
PIN DESCRIPTION  
A0 - A14  
DQ0 - DQ7  
CE  
- Address Inputs  
- Data In/Data Out  
- Chip Enable  
- Write Enable  
- Output Enable  
- Power (+3.3V)  
- Ground  
WE  
OE  
VCC  
GND  
NC  
- No Connect  
1 of 10  

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