是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DMA |
包装说明: | POWERCAP MODULE-34 | 针数: | 34 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.68 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 85 ns |
JESD-30 代码: | R-XDMA-U34 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 34 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32KX8 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装等效代码: | MODULE,34LEAD,1.0 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.005 A |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.085 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | J INVERTED |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DS1230BL-100 | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1230BL-100-IND | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1230BL-70 | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1230BL-70-IND | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1230P-100-IND | ARTSCHIP |
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3.3V 256K Nonvolatile SRAM | |
DS1230P-150-IND | ARTSCHIP |
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3.3V 256K Nonvolatile SRAM | |
DS1230W | DALLAS |
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3.3V 256k Nonvolatile SRAM | |
DS1230W | ARTSCHIP |
获取价格 |
3.3V 256K Nonvolatile SRAM | |
DS1230W | ADI |
获取价格 |
3.3V、256k非易失SRAM | |
DS1230W-100 | DALLAS |
获取价格 |
3.3V 256k Nonvolatile SRAM |