是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SOT-23, 3 PIN |
Reach Compliance Code: | compliant | Factory Lead Time: | 8 weeks |
风险等级: | 0.82 | 其他特性: | AEC-Q100; IT HAVE SENSITIVITY OF PLUS OR MINUS 1.8 MT |
主体宽度: | 1.3 mm | 主体高度: | 1.12 mm |
主体长度或直径: | 2.92 mm | 外壳: | PLASTIC |
滞后: | 3.6 mT | JESD-609代码: | e3 |
最大磁场范围: | 3.7 mT | 最小磁场范围: | -3.7 mT |
安装特点: | SURFACE MOUNT | 最大工作电流: | 2.8 mA |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
最大输出电流: | 20 mA | 输出范围: | 0-20mA |
输出类型: | DIGITAL CURRENT | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状/形式: | RECTANGULAR | 筛选级别: | AEC-Q100 |
传感器/换能器类型: | MAGNETIC FIELD SENSOR,HALL EFFECT | 最大供电电压: | 5.5 V |
最小供电电压: | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端接类型: | SOLDER |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DRV5015A2QDBZR | TI |
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高灵敏度 (±2mT)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 | DBZ | 3 | - | |
DRV5015A2QDBZT | TI |
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高灵敏度 (±2mT)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 | DBZ | 3 | - | |
DRV5015A3EDBZRQ1 | TI |
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汽车类、高灵敏度 (±2mT)、低电压(高达 5.5V)霍尔效应锁存器 | DBZ | 3 | |
DRV5015A3QDBZR | TI |
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高灵敏度 (±2mT)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 | DBZ | 3 | - | |
DRV5015A3QDBZT | TI |
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高灵敏度 (±2mT)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 | DBZ | 3 | - | |
DRV5015-Q1 | TI |
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汽车类、高灵敏度 (±2mT)、低电压(高达 5.5V)霍尔效应锁存器 | |
DRV5021 | TI |
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低电压(最高 5.5V)、高带宽(高达 30kHz)单极开关 | |
DRV5021A1EDBZRQ1 | TI |
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汽车类 2.5-V 至 5.5-V 霍尔效应单极开关 | DBZ | 3 | |
|
DRV5021A1QDBZR | TI |
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低电压(最高 5.5V)、高带宽(高达 30kHz)单极开关 | DBZ | 3 | -4 | |
DRV5021A1QDBZT | TI |
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低电压(最高 5.5V)、高带宽(高达 30kHz)单极开关 | DBZ | 3 | -4 |