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DRC5614T

更新时间： 2024-11-16 21:14:07
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 476K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2-B, 3 PIN

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DRC5614T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DRC5614T 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
DRC5614T  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For digital circuits / muting  
DRC2614T in SMini3 type package  
Features  
ꢀPackage  
Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.  
ꢀCode  
Eco-friendly Halogen-free package  
SMini3-F2-B  
ꢀPin Name  
1: Base  
Packaging  
Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)  
2: Emitter  
3: Collector  
ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C  
a
ꢀMarking Symbol: VT  
ꢀInternal Connection  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
Unit  
V
30  
C
E
20  
5
V
R1  
B
V
600  
mA  
mW  
°C  
°C  
Total power dissipation  
PT  
150  
Resistance value  
R1  
10  
kΩ  
Junction temperature  
Tj  
150  
Storage temperature  
T
stg  
–55 to +150  
ꢀElectrical Characteristics T = 25°C±3°C  
a
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
30  
20  
5
Typ  
Max  
Unit  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
VCBO IC = 10 µA, IE = 0  
VCEO IC = 1 mA, IB = 0  
VEBO IE = 10 µA, IC = 0  
V
V
V
ICBO  
IEBO  
hFE  
VCB = 30 V, IE = 0  
VEB = 5 V, IC = 0  
1
1
µA  
µA  
mV  
kΩ  
Ω
1
Forward current transfer ratio *  
VCE = 5 V, IC = 50 mA  
100  
600  
80  
Collector-emitter saturation voltage  
Input resistance  
VCE(sat) IC = 50 mA, IB = 2.5 mA  
R1  
–30%  
10  
+30%  
2
ON resistance *  
Ron  
VI = 7 V, RL = 1 kΩ, f = 1 kHz  
2.5  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Pulse measurement  
*
2: Ron measurement circuit  
*
RL  
R1  
f = 1 kHz  
V = 0.3 V  
V
I
VB VV VA  
VB  
VA−VB  
Ron  
=
× RL (Ω)  
Publication date: July 2010  
Ver. BED  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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