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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DRA5143E
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DRA5143E

更新时间： 2024-11-25 12:55:27
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 349K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC5143E

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DRA5143E 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.69Is Samacsys：N
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：20JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DRA5143E 数据手册

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DRA5143E  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For digital circuits  
Unit: mm  
Complementary to DRC5143E  
DRA2143E in SMini3 type package  
Features  
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
Halogen-free / RoHS compliant  
(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL: Level 1 compliant)  
ꢀMarking Symbol: L5  
Packaging  
DRA5143E0L Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)  
1: Base  
ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C  
a
2: Emitter  
3: Collector  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Rating  
–50  
Unit  
V
Panasonic  
SMini3-F2-B  
JEITA  
Code  
SC-85  
–50  
V
–100  
mA  
mW  
°C  
C
E
Total power dissipation  
PT  
150  
R1  
R2  
B
Junction temperature  
Tj  
150  
Storage temperature  
T
stg  
–55 to +150  
°C  
R1  
R2  
4.7  
4.7  
kΩ  
kΩ  
Resistance value  
ꢀElectrical Characteristics T = 25°C±3°C  
a
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
–50  
–50  
Typ  
Max  
Unit  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Input voltage (ON)  
VCBO IC = –10 µA, IE = 0  
VCEO IC = –2 mA, IB = 0  
V
V
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCB = –50 V, IE = 0  
VCE = –50 V, IB = 0  
VEB = –6 V, IC = 0  
– 0.1  
– 0.5  
–2.0  
µA  
µA  
mA  
V
VCE = –10 V, IC = –5 mA  
20  
VCE(sat) IC = –10 mA, IB = – 0.5 mA  
VI(on) VCE = – 0.2 V, IC = –5 mA  
– 0.25  
–1.9  
V
Input voltage (OFF)  
VI(off) VCE = –5 V, IC = –100 µA  
– 0.8  
+30%  
1.2  
V
Input resistance  
R1  
–30%  
0.8  
4.7  
1.0  
kΩ  
Resistance ratio  
R1 / R2  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: November 2012  
Ver. DED  
1
1234

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