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DRA5124T PDF预览

DRA5124T

更新时间： 2024-11-25 20:06:39
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 470K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2-B, 3 PIN

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DRA5124T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.71最大集电极电流 (IC)：0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)：160JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DRA5124T 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
DRA5124T  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For digital circuits  
Complementary to DRC5124T  
DRA2124T in SMini3 type package  
ꢀPackage  
Features  
ꢀCode  
High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity  
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.  
Eco-friendly Halogen-free package  
SMini3-F2-B  
ꢀPin Name  
1: Base  
2: Emitter  
3: Collector  
Packaging  
Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)  
ꢀMarking Symbol: LH  
ꢀInternal Connection  
ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C  
a
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Rating  
–50  
Unit  
V
C
E
R1  
B
–50  
V
–100  
mA  
mW  
°C  
Resistance value  
R1  
22  
kΩ  
Total power dissipation  
PT  
150  
Junction temperature  
Tj  
150  
Storage temperature  
T
stg  
–55 to +150  
°C  
ꢀElectrical Characteristics T = 25°C±3°C  
a
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
–50  
–50  
Typ  
Max  
Unit  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Input voltage (ON)  
VCBO IC = –10 µA, IE = 0  
VCEO IC = –2 mA, IB = 0  
V
V
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCB = –50 V, IE = 0  
VCE = –50 V, IB = 0  
VEB = –6 V, IC = 0  
– 0.1  
– 0.5  
– 0.01  
460  
µA  
µA  
mA  
V
VCE = –10 V, IC = –5 mA  
160  
–1.8  
VCE(sat) IC = –10 mA, IB = – 0.5 mA  
VI(on) VCE = – 0.2 V, IC = –5 mA  
– 0.25  
V
Input voltage (OFF)  
VI(off) VCE = –5 V, IC = –100 µA  
R1  
– 0.4  
V
Input resistance  
–30%  
22  
+30%  
kΩ  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: December 2010  
Ver. BED  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DRA5124T0L PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN
DRA5124X0L PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN
DRA5143E PANASONIC

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 		Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC5143E
DRA5143T0L PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN
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