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DRA4114Y PDF预览

DRA4114Y

更新时间： 2024-02-18 07:56:34
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 199K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, NS-B1-B, 3 PIN

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DRA4114Y 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.77
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：80JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DRA4114Y 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
DRA4114Y (Tentative)  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For digital circuits  
Packaging  
ꢀPackage  
Radial type: 5000 pcs / carton  
ꢀCode  
NS-B1-B  
ꢀPin Name  
1: Emitter  
2: Collector  
3: Base  
ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C  
a
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Rating  
–50  
Unit  
V
–50  
V
ꢀMarking Symbol: LC  
ꢀInternal Connection  
–100  
mA  
mW  
°C  
Total power dissipation  
PT  
300  
Junction temperature  
Tj  
150  
C
E
R1  
B
Storage temperature  
T
stg  
–55 to +150  
°C  
R2  
Resistance  
value  
R1  
R2  
10  
47  
kΩ  
kΩ  
ꢀElectrical Characteristics T = 25°C±3°C  
a
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
–50  
–50  
Typ  
Max  
Unit  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Input voltage (ON)  
VCBO IC = –10 µA, IE = 0  
VCEO IC = –2 mA, IB = 0  
V
V
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCB = –50 V, IE = 0  
VCE = –50 V, IB = 0  
VEB = –6 V, IC = 0  
– 0.1  
– 0.5  
– 0.2  
µA  
µA  
mA  
V
VCE = –10 V, IC = –5 mA  
80  
VCE(sat) IC = –10 mA, IB = – 0.5 mA  
VI(on) VCE = – 0.2 V, IC = –5 mA  
– 0.25  
–1.7  
V
Input voltage (OFF)  
VI(off) VCE = –5 V, IC = –100 µA  
– 0.5  
+30%  
0.25  
V
Input resistance  
R1  
–30%  
0.17  
10  
kΩ  
Resistance ratio  
R1 / R2  
0.21  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: November 2009  
ZJH00452AED  
1
123

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DRA4114Y 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DDTA114YCA-7 DIODES

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DDTA114YCA-7-F DIODES

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DRA4143T PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, NS-B1
DRA4143T0A PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN
DRA4143X0A PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN
DRA4143Z PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, NS-B1
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DRA4144T PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, NS-B1
DRA4144T0A PANASONIC

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