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DRA2123Y0L PDF预览

DRA2123Y0L

更新时间： 2024-11-21 20:11:07
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 451K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINI3-G3-B, SC-59A, 3 PIN

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DRA2123Y0L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINI3-G3-B, SC-59A, 3 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：7.97Samacsys Description：DRA2123Y0L, Digital Transistor, PNP -100 mA -50 V 2.2 kΩ, Ratio Of 0.22, 3-Pin Mini3 G3 B
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.55最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-236AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DRA2123Y0L 数据手册

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Doc No. TT4-EA-11723  
Revision. 3  
Transistors with Built-in Resistor  
DRA2123Y0L  
DRA2123Y0L  
Silicon PNP epitaxial planar type  
Unit: mm  
2.9  
For digital circuit  
0.4  
0.16  
3
Features  
Low collector-emitter saturation voltage Vce(sat)  
Halogen-free / RoHS compliant  
(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)  
1
2
1.1  
Marking Symbol:  
Packaging  
L3  
(0.95)(0.95)  
1.9  
Embossed type (Thermo-compression sealing) : 3 000 pcs / reel (standard)  
1. Base  
2. Emitter  
3. Collector  
Panasonic  
JEITA  
Mini3-G3-B  
SC-59A  
TO-236AA/SOT-23  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C  
Code  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Rating  
-50  
-50  
-100  
200  
Unit  
V
V
mA  
mW  
°C  
Internal Connection  
Total power dissipation  
Junction temperature  
PT  
Tj  
C
R1  
B
150  
R2  
Operating ambient temperature  
Storage temperature  
Topr  
Tstg  
-40 to +85  
-55 to +150  
°C  
°C  
E
k  
k  
Resistance R1  
R2  
2.2  
10  
value  
Electrical Characteristics Ta = 25 C 3 C  
Parameter  
Symbol  
VCBO IC = -10 μA, IE = 0  
VCEO IC = -2 mA, IB = 0  
Conditions  
Min Typ Max  
-50  
-50  
Unit  
V
V
μA  
μA  
mA  
-
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCB = -50 V, IE = 0  
VCE = -50 V, IB = 0  
VEB = -6 V, IC = 0  
-0.1  
-0.5  
-1.0  
VCE = -10 V, IC = -5 mA  
30  
Collector-emitter saturation voltage  
VCE(sat) IC = -10 mA, IB = -0.5 mA  
Vi(on) VCE = -0.2 V, IC = -5 mA  
Vi(off) VCE = -5 V, IC = -100 μA  
-0.25  
-1.1  
V
V
V
Input voltage  
-0.5  
k  
-
Input resistance  
Resistance ratio  
R1  
R1/R2  
-30% 2.2 +30%  
0.17 0.22 0.27  
Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 Measuring methods for transistors.  
Note)1.  
Page 1 of 3  
Established : 2009-10-29  
Revised : 2014-01-22  
1234

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与DRA2123Y0L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DRA2124E PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
DRA2124E0L PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236A
DRA2143E PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
DRA2143E0L PANASONIC

获取价格

 		DRA2143E Silicon PNP epitaxial planar type
DRA2143T0L PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236A
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
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 		Silicon PNP epitaxial planar type
DRA2143Y PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS
DRA2143Z0L PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236A
DRA2144T PANASONIC

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