5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > DRA2113Z0L
DRA2113Z0L PDF预览

DRA2113Z0L

更新时间： 2024-11-06 19:45:03
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 457K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINI3-G3-B, SC-59A, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

DRA2113Z0L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINI3-G3-B, SC-59A, 3 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：3.93其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-236AAJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DRA2113Z0L 数据手册

 浏览型号DRA2113Z0L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DRA2113Z0L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DRA2113Z0L的Datasheet PDF文件第4页 
Doc No. TT4-EA-11535  
Revision. 3  
Transistors with Built-in Resistor  
DRA2113Z0L  
DRA2113Z0L  
Silicon PNP epitaxial planar type  
Unit: mm  
For digital circuits  
2.9  
Complementary to DRC2113Z  
0.4  
0.16  
3
Features  
Low collector-emitter saturation voltage Vce(sat)  
Halogen-free / RoHS compliant  
(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)  
1
2
1.1  
Marking Symbol:  
Packaging  
L1  
(0.95)(0.95)  
1.9  
Embossed type (Thermo-compression sealing) : 3 000 pcs / reel (standard)  
1. Base  
2. Emitter  
3. Collector  
Panasonic  
JEITA  
Mini3-G3-B  
SC-59A  
TO-236AA/SOT-23  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C  
Code  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Rating  
-50  
-50  
-100  
200  
Unit  
V
V
mA  
mW  
°C  
Internal Connection  
Total power dissipation  
Junction temperature  
PT  
Tj  
C
R1  
B
150  
R2  
Operating ambient temperature  
Storage temperature  
Topr  
Tstg  
-40 to +85  
-55 to +150  
°C  
°C  
E
k  
k  
Resistance R1  
R2  
1
10  
value  
Electrical Characteristics Ta = 25 C 3 C  
Parameter  
Symbol  
VCBO IC = -10 μA, IE = 0  
VCEO IC = -2 mA, IB = 0  
Conditions  
Min Typ Max  
-50  
-50  
-0.1  
-0.5  
-1.5  
30  
Unit  
V
V
μA  
μA  
mA  
-
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCB = -50 V, IE = 0  
VCE = -50 V, IB = 0  
VEB = -6 V, IC = 0  
VCE = -10 V, IC = -5 mA  
Collector-emitter saturation voltage  
VCE(sat) IC = -10 mA, IB = -0.5 mA  
Vi(on) VCE = -0.2 V, IC = -5 mA  
Vi(off) VCE = -5 V, IC = -100 μA  
-0.25  
-1.0  
-0.4  
V
V
V
Input voltage  
k  
-
Input resistance  
Resistance ratio  
R1  
R1/R2  
-30%  
0.08 0.10 0.12  
1
+30%  
Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 Measuring methods for transistors.  
Note) 1.  
Page 1 of 3  
Established : 2009-10-13  
Revised : 2014-01-17  
1234

中文翻译

下载PDF

与DRA2113Z0L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DRA2114E PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
DRA2114E0L PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236A
DRA2114T PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
DRA2114Y0L PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236A
DRA2115E PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
DRA2115G PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS
DRA2115G0L PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236A
DRA2115T0L PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236A
DRA2123J PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
DRA2123Y0L PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236A

与DRA2113Z0L相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证