DN2625K6-G

更新时间： 2024-01-19 02:31:13

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超科 - SUPERTEX		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs

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DN2625K6-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFN	包装说明：	CHIP CARRIER, S-PQCC-N14
针数：	14	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW THRESHOLD
外壳连接：	DRAIN	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (ID)：	1.1 A	最大漏源导通电阻：	3.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	70 pF
JESD-30 代码：	S-PQCC-N14	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	3	元件数量：	3
端子数量：	14	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	3.3 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	30 ns	最大开启时间（吨）：	30 ns
Base Number Matches：	1

DN2625K6-G 数据手册

DN2625

N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs

Features

► Very low gate threshold voltage

► Design to be source-driven

► Low switching losses

► Low effective output capacitance

► Design for inductive load

► Well matched for low second harmonic

General Description

The Supertex DN2625 is a low threshold depletion-mode

(normally-on) transistor utilizing an advanced vertical

DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate

manufacturing process. This combination produces a device

with the power handling capabilities of bipolar transistors

and with the high input impedance and positive temperature

coefﬁcient inherent in MOS devices. Characteristic of all

MOS structures, this device is free from thermal runaway and

thermally-induced secondary breakdown.

Applications

► Medical ultrasound beamforming

► Ultrasonic array focusing transmitter

► Piezoelectric transducer waveform drivers

► High speed arbitrary waveform generator

► Normally-on switches

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a

wide range of switching and amplifying applications where

high breakdown voltage, high input impedance, low input

capacitance, and fast switching speeds are desired.

► Solid state relays

► Constant current sources

► Power supply circuits

Switching Waveforms and Test Circuit

V_DD

90%

R_L

INPUT

PULSE

GENERATOR

10%

-10V

OUTPUT

t_(ON)

t_d(ON)

t_(OFF)

t_d(OFF)

R_GEN

t_r

t_F

V_DD

D.U.T.

10%

INPUT

OUTPUT

90%

Thermal Characteristics

I_D

R_ΘjA

R_ΘjC

I_DR

I_DRM

(A)

(continuous)¹

Package

(pulsed)

(^OC/W)

(A)

D-PAK

1.1

5.5

4.0

3.3

1.1

3.3

14-Lead QFN

Notes:

1. I_D(Continuous) is limited by Max. T_J

2. 4-layer, 1oz, 3x4inch PCB, with 20-via for drain pad.

12 3 4 5 6 7

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