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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> DN2625K6-G
DN2625K6-G PDF预览

DN2625K6-G

更新时间： 2024-11-09 03:04:07
品牌 Logo 应用领域
超科 - SUPERTEX 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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7页 882K
描述
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs

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DN2625K6-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFN包装说明：CHIP CARRIER, S-PQCC-N14
针数：14Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
Is Samacsys：N其他特性：LOW THRESHOLD
外壳连接：DRAIN最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (ID)：1.1 A最大漏源导通电阻：3.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：70 pF
JESD-30 代码：S-PQCC-N14JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：3元件数量：3
端子数量：14工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：3.3 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：30 ns最大开启时间（吨）：30 ns
Base Number Matches：1

DN2625K6-G 数据手册

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DN2625  
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs  
Features  
► Very low gate threshold voltage  
► Design to be source-driven  
► Low switching losses  
► Low effective output capacitance  
► Design for inductive load  
► Well matched for low second harmonic  
General Description  
The Supertex DN2625 is a low threshold depletion-mode  
(normally-on) transistor utilizing an advanced vertical  
DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate  
manufacturing process. This combination produces a device  
with the power handling capabilities of bipolar transistors  
and with the high input impedance and positive temperature  
coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all  
MOS structures, this device is free from thermal runaway and  
thermally-induced secondary breakdown.  
Applications  
► Medical ultrasound beamforming  
► Ultrasonic array focusing transmitter  
► Piezoelectric transducer waveform drivers  
► High speed arbitrary waveform generator  
► Normally-on switches  
Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a  
wide range of switching and amplifying applications where  
high breakdown voltage, high input impedance, low input  
capacitance, and fast switching speeds are desired.  
► Solid state relays  
► Constant current sources  
► Power supply circuits  
Switching Waveforms and Test Circuit  
VDD  
0V  
90%  
RL  
INPUT  
PULSE  
GENERATOR  
10%  
-10V  
OUTPUT  
t(ON)  
td(ON)  
t(OFF)  
td(OFF)  
RGEN  
tr  
tF  
VDD  
0V  
D.U.T.  
10%  
10%  
INPUT  
OUTPUT  
90%  
90%  
Thermal Characteristics  
ID  
ID  
2
1
RΘjA  
RΘjC  
IDR  
IDRM  
(A)  
(continuous)1  
Package  
(pulsed)  
(OC/W)  
(OC/W)  
(A)  
(A)  
(A)  
D-PAK  
1.1  
50  
45  
5.5  
4.0  
3.3  
1.1  
3.3  
14-Lead QFN  
Notes:  
1. ID (Continuous) is limited by Max. TJ  
2. 4-layer, 1oz, 3x4inch PCB, with 20-via for drain pad.  
1234567

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DN2625K6-G 替代型号

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