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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-92 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | HIGH INPUT IMPEDANCE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大漏极电流 (ID)： | 0.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| DN2624ND | SUPERTEX | N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs |
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| DN2625 | SUPERTEX | N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs |
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| DN2625 | MICROCHIP | DN2625 is a low threshold depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced ve |
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| DN2625DK6-G | SUPERTEX | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 250V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| DN2625DK6-GM932 | MICROCHIP | POWER, FET |
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| DN2625K4-G | SUPERTEX | N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs |
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