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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-92 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH INPUT IMPEDANCE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.3 A | 最大漏源导通电阻： | 4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| DN2624N3P018 | SUPERTEX | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxid |
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| DN2624ND | SUPERTEX | N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs |
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| DN2625 | SUPERTEX | N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs |
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| DN2625 | MICROCHIP | DN2625 is a low threshold depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced ve |
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| DN2625DK6-G | SUPERTEX | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 250V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| DN2625DK6-GM932 | MICROCHIP | POWER, FET |
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