是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
Factory Lead Time: | 17 weeks | 风险等级: | 1.76 |
雪崩能效等级(Eas): | 215 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 205 A |
最大漏极电流 (ID): | 205 A | 最大漏源导通电阻: | 0.003 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 21.4 pF |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 156 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 350 A | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DMT4004LPS | DIODES |
获取价格 |
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT4004LPS-13 | DIODES |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
DMT4005SCT | DIODES |
获取价格 |
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT4008LFDF | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT4008LFV | DIODES |
获取价格 |
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT4008LSS | DIODES |
获取价格 |
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT4011LFG | DIODES |
获取价格 |
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT4011LFG-7 | DIODES |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
DMT4011LSS | DIODES |
获取价格 |
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT4014LDV | DIODES |
获取价格 |
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |