是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 2.22 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
雪崩能效等级(Eas): | 15 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (ID): | 62 A |
最大漏源导通电阻: | 0.012 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 92 A |
参考标准: | AEC-Q101 | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DMT10H010LK3 | DIODES |
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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT10H010LPS | DIODES |
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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT10H010LSS | DIODES |
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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT10H010LSS_18 | DIODES |
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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT10H010LSS-13 | DIODES |
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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT10H010LSSQ | DIODES |
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100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
DMT10H010SPS | DIODES |
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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT10H014L | HOTTECH |
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SOP-8 | |
DMT10H014LSS | DIODES |
获取价格 |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT10H015L | HOTTECH |
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SOP-8 |