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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 22 weeks |
| 风险等级： | 1.68 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 8 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.1 A | 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 11 A | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DMP6250SEQ | DIODES |
获取价格 |
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMP6250SFDF | DIODES |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMP6250SFDF-13 | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| DMP6250SFDF-7 | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| DMP6301A | CRYDOM |
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Logic IC Output Optocoupler, 1-Element, 4000V Isolation |
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| DMP6350S | DIODES |
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60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMP6350S-13 | DIODES |
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60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMP6350S-7 | DIODES |
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60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMP6350SQ | DIODES |
获取价格 |
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMP6402A | CRYDOM |
获取价格 |
Logic IC Output Optocoupler, 1-Element, 4000V Isolation |
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