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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> DMP57D5UV-7
DMP57D5UV-7 PDF预览

DMP57D5UV-7

更新时间： 2024-11-25 09:54:15
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 145K
描述
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMP57D5UV-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：50 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.16 A
最大漏极电流 (ID)：0.16 A最大漏源导通电阻：6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DMP57D5UV-7 数据手册

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DMP57D5UV  
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
•
•
Low On-Resistance  
ESD Protected Gate to 1kV  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
“Green” Device (Note 3)  
Qualified to AEC-Q 101 Standards for High Reliability  
•
•
Case: SOT-563  
Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminals: Finish ⎯ Matte Tin annealed over Copper  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Terminal Connections: See Diagram  
Marking Information: See Page 3  
Ordering Information: See Page 3  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
•
•
•
•
•
•
G1  
S1  
D2  
SOT-563  
G2  
S2  
D1  
TOP VIEW  
Internal Schematic  
ESD protected to 1kV  
TOP VIEW  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Value  
-50  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current (Note 2)  
Continuous  
Continuous  
V
±8  
-160  
mA  
Thermal Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Total Power Dissipation (Note 1)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Symbol  
PD  
Rθ  
Value  
400  
313  
Units  
mW  
°C/W  
°C  
JA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 4)  
Symbol Min Typ Max Unit  
Test Condition  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Body Leakage  
-50  
⎯
⎯
V
BVDSS  
IDSS  
⎯
⎯
⎯
⎯
-10  
VGS = 0V, ID = -250μA  
μA VDS = -50V, VGS = 0V  
nA  
IGSS  
±500  
VGS = ±8V, VDS = 0V  
ON CHARACTERISTICS (Note 4)  
Gate Threshold Voltage  
-0.7  
-1.0  
V
VGS(th)  
⎯
4.6  
6.0  
VDS = VGS, ID = -250μA  
GS = -4V, ID = -100mA  
VGS = -2.5V, ID = -80mA  
VDS = -5V, ID = -100mA  
VGS = 0V, IS = -100mA  
V
⎯
⎯
100  
6
8
Static Drain-Source On-Resistance  
RDS (ON)  
Ω
Forward Transfer Admittance  
Diode Forward Voltage  
mS  
V
⏐Yfs⏐  
VSD  
⎯
⎯
⎯
-1.2  
⎯
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Input Capacitance  
29  
7.3  
2.5  
pF  
pF  
pF  
Ciss  
Coss  
Crss  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
Output Capacitance  
V
DS = -25V, VGS = 0V, f = 1.0MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout document AP02001, which  
can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. No purposefully added lead.  
3. Diodes Inc’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
4. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
1 of 5  
www.diodes.com  
April 2009  
© Diodes Incorporated  
DMP57D5UV  
Document number: DS31540 Rev. 3 - 2  
12345

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