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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 18 weeks | 风险等级： | 1.67 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.045 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.7 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DMP3050LVT | DIODES |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMP3050LVT-7 | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| DMP3050LVTQ | DIODES |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMP3056L | DIODES |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMP3056L-13 | DIODES |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| DMP3056L-7 | DIODES |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| DMP3056LDM | DIODES |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| DMP3056LDM-7 | DIODES |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| DMP3056LSD | DIODES |
获取价格 |
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| DMP3056LSD-13 | DIODES |
获取价格 |
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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