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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> DMP210DUDJ-7
DMP210DUDJ-7 PDF预览

DMP210DUDJ-7

更新时间： 2024-09-24 09:54:15
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
6页 439K
描述
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMP210DUDJ-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：19 weeks
风险等级：1.69Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：1553296
Samacsys Pin Count：6Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category：SO Transistor Flat LeadSamacsys Footprint Name：SOT963
Samacsys Released Date：2019-10-10 06:06:44Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.14 A
最大漏极电流 (ID)：0.14 A最大漏源导通电阻：5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：20 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.33 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DMP210DUDJ-7 数据手册

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DMP210DUDJ  
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
Features  
Mechanical Data  
•
•
Dual P-Channel MOSFET  
Low On-Resistance  
•
•
Case: SOT-963  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminal Connections: See Diagram  
Terminals: Finish - Matte Tin annealed over Copper lead frame.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Marking Information: See Page 2  
Ordering Information: See Page 2  
Weight: 0.0027 grams (approximate)  
o
o
o
o
5.0Ω @ -4.5V  
7.0Ω @ -2.5V  
10Ω @ -1.8V  
15Ω @ -1.5V  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH) <1V  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
ESD Protected Gate  
"Green" Device (Note 3)  
•
•
•
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
SOT-963  
G1  
S1  
D2  
G2  
S2  
D1  
ESD protected  
TOP VIEW  
Internal Schematic  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
Value  
-20  
Units  
V
V
VDSS  
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±8  
Continuous Drain Current (Note 1)  
@TA = 25°C  
-140  
-100  
mA  
mA  
ID  
@TA = 85°C  
-600  
Pulsed Drain Current  
TP = 10μs  
IDM  
Thermal Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Total Power Dissipation (Note 1)  
Symbol  
Value  
330  
Units  
mW  
°C/W  
°C  
PD  
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Note 1  
Operating and Storage Temperature Range  
377.16  
Rθ  
JA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Notes:  
1. Device mounted on 1”x1” FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout, single sided.  
2. No purposefully added lead.  
3. Diodes Inc.’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
1 of 6  
www.diodes.com  
June 2010  
© Diodes Incorporated  
DMP210DUDJ  
Document number: DS31494 Rev. 4 - 2  
123456

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