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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> DMP2104V-7
DMP2104V-7 PDF预览

DMP2104V-7

更新时间： 2024-09-24 02:51:03
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
4页 206K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMP2104V-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.66
Samacsys Confidence：Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：369462Samacsys Pin Count：6
Samacsys Part Category：Undefined or MiscellaneousSamacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：SOT50P160X60-6NSamacsys Released Date：2017-01-11 16:09:24
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.86 A最大漏极电流 (ID)：0.86 A
最大漏源导通电阻：0.15 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.21 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DMP2104V-7 数据手册

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SPICE MODELS: DMP2104V  
DMP2104V  
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Features  
A
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
P-Channel MOSFET  
Very Low On-Resistance  
Very Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
SOT-563  
Dim  
A
Min  
Max  
Typ  
0.15 0.30 0.25  
1.10 1.25 1.20  
1.55 1.70 1.60  
0.50  
B
C
B
Low Input/Output Leakage  
C
Ultra-Small Surface Mount Package  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
"Green" Device (Note 3)  
D
D
G
H
G
H
0.90 1.10 1.00  
1.50 1.70 1.60  
0.56 0.60 0.60  
0.10 0.30 0.20  
0.10 0.18 0.11  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
M
K
K
Mechanical Data  
L
•
•
Case: SOT-563  
M
L
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding  
Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals Connections: See Diagram  
Terminals: Finish - Matte Tin annealed over Copper lead  
frame. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Marking Information: See Page 4  
Ordering Information: See Page 4  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
All Dimensions in mm  
D
D
S
D
D
•
•
•
•
•
•
G
Maximum Ratings @T = 25°C unless otherwise specified  
A
Characteristic  
Symbol  
Value  
Units  
Drain-Source Voltage  
-20  
V
V
V
DSS  
GSS  
Gate-Source Voltage  
±12  
V
T
= 25°C  
= 70°C  
Steady  
State  
-860  
-690  
A
Continuous Drain Current (Note 1)  
mA  
mW  
mA  
I
D
T
A
Steady  
State  
Power Dissipation (Note 1)  
170  
P
D
D
T
A
= 25°C  
= 70°C  
-950  
-760  
Continuous Drain Current (Note 1)  
t ≤ 5s  
I
D
T
A
Power Dissipation (Note 1)  
210  
-4.0  
mW  
A
t ≤ 5s  
t = 10μs  
P
Pulsed Drain Current  
I
p
DM  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
T T  
j, STG  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB with 1 inch square pads.  
2. No purposefully added lead.  
3. Diodes Inc.’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
DS30942 Rev. 3 - 2  
1 of 4  
DMP2104V  
© Diodes Incorporated  
www.diodes.com  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DMP2109UVT DIODES

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