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DMN32D2LFB4-7B

更新时间： 2024-09-25 01:21:19
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美台 - DIODES 开关晶体管
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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMN32D2LFB4-7B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-PBCC-N3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.8其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.3 A
最大漏极电流 (ID)：0.3 A最大漏源导通电阻：1.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：7.2 pF
JESD-30 代码：R-PBCC-N3JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W参考标准：AEC-Q101
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

DMN32D2LFB4-7B 数据手册

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DMN32D2LFB4  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
Product Summary  
Features  
Low On-Resistance  
Very Low Gate Threshold Voltage, 1.2V max  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
Ultra-Small Surface Mount Package  
ESD Protected Gate  
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
ID max  
A = +25C  
415mA  
V(BR)DSS  
RDS(on) max  
T
1.2@ VGS = 4V  
1.5@ VGS = 2.5V  
2.2@ VGS = 1.8V  
30V  
370mA  
300mA  
Description  
This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance  
and yet maintain superior switching performance, making it ideal for  
high efficiency power management applications.  
Mechanical Data  
Applications  
Case: X2-DFN1006-3  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Backlighting  
Power Management Functions  
DC-DC Converters  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminal Connections: See Diagram  
Terminals: Finish – NiPdAu over Copper leadframe. Solderable  
e4  
per MIL-STD-202, Method 208  
Weight: 0.001 grams (approximate)  
Drain  
X2-DFN1006-3  
Body  
Diode  
Gate  
S
D
Gate  
Protection  
Diode  
Source  
G
Top View  
Pin-Out  
Equivalent Circuit  
Bottom View  
ESD PROTECTED  
Ordering Information (Note 4)  
Part Number  
DMN32D2LFB4-7  
DMN32D2LFB4-7B  
Marking  
DV  
DV  
Reel size (inches)  
Tape width (mm)  
Quantity per reel  
3000  
7
7
8
8
10,000  
Notes:  
1. No purposely added lead. Fully EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant.  
2. See http://www.diodes.com/quality/lead_free.html for more information about Diodes Incorporated’s definitions of Halogen- and Antimony-free, "Green"  
and Lead-free.  
3. Halogen- and Antimony-free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and  
<1000ppm antimony compounds.  
4. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/products/packages.html  
Marking Information  
DMN32D2LFB4-7  
DMN32D2LFB4-7B  
DV = Product Type Marking Code  
DV  
DV  
Top View  
Dot Denotes  
Drain Side  
Top View  
Bar Denotes Gate  
and Source Side  
1 of 5  
www.diodes.com  
June 2013  
© Diodes Incorporated  
DMN32D2LFB4  
Document number: DS31124 Rev. 7 - 2  
12345

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