是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | GRID ARRAY, S-PBGA-B4 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 17 weeks |
风险等级: | 4.89 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (ID): | 4 A |
最大漏源导通电阻: | 0.056 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 33 pF | JESD-30 代码: | S-PBGA-B4 |
JESD-609代码: | e1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1.25 W |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | BALL | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DMN2100UDM | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
DMN2100UDM-7 | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
DMN2104L | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN2104L-7 | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN2112SN | TYSEMI |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
DMN2112SN | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
DMN2112SN_0711 | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
DMN2112SN-7 | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
DMN2114SN | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
DMN2114SN | TYSEMI |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |