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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> DMN2075U-7
DMN2075U-7 PDF预览

DMN2075U-7

更新时间： 2024-09-23 09:54:11
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
6页 159K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMN2075U-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.92
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：441034Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT23_4Samacsys Released Date：2018-01-14 19:59:40
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.2 A最大漏极电流 (ID)：4.2 A
最大漏源导通电阻：0.038 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.8 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DMN2075U-7 数据手册

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DMN2075U  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
•
•
Low On-Resistance  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)  
"Green" Device (Note 2)  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
•
•
Case: SOT-23  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminals: Finish ⎯ Matte Tin annealed over Copper leadframe.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Terminals Connections: See Diagram Below  
Marking Information: See Page 4  
Ordering Information: See Page 4  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
•
•
•
•
•
•
Drain  
D
Gate  
S
G
Source  
Internal Schematic  
TOP VIEW  
TOP VIEW  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
Value  
20  
±8  
Units  
V
V
Gate-Source Voltage  
VGSS  
T
T
A = 25°C  
A = 70°C  
Steady  
State  
4.2  
3.4  
Continuous Drain Current (Note 3)  
Pulsed Drain Current (Note 4)  
A
A
ID  
27  
IDM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
PD  
Value  
0.8  
Unit  
W
Power Dissipation (Note 3)  
156  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient @TA = 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
RθJA  
-55 to +150  
T
J, TSTG  
Notes:  
1. No purposefully added lead.  
2. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
3. Device mounted on FR-4 PCB, with minimum recommended pad layout.  
4. Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.  
1 of 6  
www.diodes.com  
December 2009  
© Diodes Incorporated  
DMN2075U  
Document number: DS31837 Rev. 3 - 2  
123456

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