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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DMMT5551S-7-F
DMMT5551S-7-F PDF预览

DMMT5551S-7-F

更新时间： 2024-09-30 03:02:55
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 97K
描述
MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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DMMT5551S-7-F 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：19 weeks
风险等级：1.35Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：160 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

DMMT5551S-7-F 数据手册

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SPICE MODEL: DMMT5551  
DMMT5551/DMMT5551S  
Lead-free Green  
MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT  
TRANSISTOR  
Features  
·
·
·
·
·
·
·
Epitaxial Planar Die Construction  
Complementary PNP Type Available (DMMT5401)  
A
Ideal for Low Power Amplification and Switching  
Intrinsically Matched NPN Pair (Note 1)  
2% Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT)  
Lead Free/RoHS Compliant (Note 4)  
"Green" Device (Note 5 and 6)  
SOT-26  
C
B
Dim Min Max Typ  
A
B
C
D
F
0.35 0.50 0.38  
1.50 1.70 1.60  
2.70 3.00 2.80  
H
¾
¾
¾
¾
0.95  
0.55  
K
J
M
Mechanical Data  
H
J
2.90 3.10 3.00  
0.013 0.10 0.05  
1.00 1.30 1.10  
0.35 0.55 0.40  
0.10 0.20 0.15  
F
L
D
·
·
Case: SOT-26  
Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding  
Compound, Note 7. UL Flammability Classification  
Rating 94V-0  
K
L
M
a
·
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminal Connections: See Diagram  
E2  
C2  
E1  
E1  
C2  
C1  
0°  
8°  
¾
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
All Dimensions in mm  
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over  
Copper leadframe).  
B1  
E2  
B2  
C1  
B1  
B2  
·
·
·
Marking (See Page 2): K4R & K4T  
DMMT5551S  
(K4T Marking Code)  
DMMT5551  
(K4R Marking Code)  
Ordering & Date Code Information: See Page 2  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Maximum Ratings  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
180  
Unit  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
160  
V
Emitter-Base Voltage  
6.0  
V
Collector Current - Continuous (Note 2)  
Power Dissipation (Note 2, 3)  
200  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Pd  
300  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 2)  
Operating and Storage and Temperature Range  
417  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
Notes: 1. Built with adjacent die from a single wafer.  
2. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
3. Maximum combined dissipation.  
4. No purposefully added lead.  
5. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php..  
6. Product manufactured with Date Code 0627 (week 27, 2006) and newer are built with Green Molding Compound. Product manufactured prior to  
Date Code 0627 are built with Non-Green Molding Compound and may contain Halogens or Sb2O3 Fire Retardants.  
DS30436 Rev. 7 - 2  
1 of 4  
DMMT5551/DMMT5551S  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
1234

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DMMT5551S-7-F 替代型号

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DMMT5551S-7 DIODES

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