5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DMMT5551P
DMMT5551P PDF预览

DMMT5551P

更新时间： 2024-09-30 12:58:43
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 74K
描述
TRANSISTOR 200 mA, 160 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-6, BIP General Purpose Small Signal

阅读下载

中文翻译

获取价格

DMMT5551P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：PLASTIC PACKAGE-6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.51Base Number Matches：1

DMMT5551P 数据手册

 浏览型号DMMT5551P的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
DMMT5551  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
•
x
Surface Mount SOT-363 Package  
200mWatts of Power Dissipation  
Ideal for Medium Power Amplification and Switching  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
Marking:K4R  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
x
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
VCEO  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Rating  
160  
Unit  
V
VCBO  
VEBO  
IC  
PD  
TJ  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous  
Power Dissipation---  
180  
6.0  
0.2  
V
V
A
W
R
R
SOT-363  
0.2  
-55 to +150  
G
Operating Junction Temperature  
E2  
C2  
E1  
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
C
B
OFF CHARACTERISTICS  
C1  
B1  
B2  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
----------------------------------160  
(I =-1.0mAdc, I =0)  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
---  
Vdc  
(I C=-1mAdc, I =0)  
B
C
B
A
H
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100µA, IE=0)  
180  
Vdc  
Vdc  
V(BR)EBO  
IEBO  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=10µAdc, IC=0)  
6.0  
M
K
Emitter Cutoff Current  
(VEB=4Vdc, IC=0)  
Collect Cutoff Current  
(VCB=120Vdc, IE=0)  
J
50  
50  
nAdc  
nAdc  
F
D
L
ICBO  
ON CHARACTERISTICS  
DIMENSIONS  
hFE  
DC Current Gain*  
(IC=1mAdc, VCE=5.0Vdc)  
(IC=10mAdc, VCE=5.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=1.0mAdc)  
INCHES  
MIN  
MM  
80  
80  
DIM  
A
MAX  
MIN  
0.10  
1.15  
2.00  
MAX  
0.30  
1.35  
2.20  
NOTE  
250  
0.15  
1.0  
.004  
.045  
.079  
.012  
.053  
.087  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
B
Vdc  
Vdc  
C
D
F
.026  
0.65Nominal  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=1.0mAdc)  
.012  
.071  
---  
.016  
.087  
.004  
.039  
.016  
.016  
0.30  
0.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.25  
H
J
1.80  
---  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
K
.035  
.010  
.004  
0.90  
0.25  
0.10  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
(IC=10mAdc, VCE=10Vdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
(VCB=10Vdec, IE=0, f=1.0MHz)  
Rg=1kohm  
L
100  
300  
6.0  
8.0  
MHz  
pF  
M
Cobo  
Noise figure  
VCE=5Vdec, I =200uA, f=1KHz,R=1kOHM  
NF  
C
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: 3  
2008/01/01  
12

中文翻译

下载PDF

与DMMT5551P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DMMT5551S DIODES

获取价格

 		MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DMMT5551S CJ

获取价格

 		SOT-23-6L
DMMT5551S-7 DIODES

获取价格

 		MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DMMT5551S-7-F DIODES

获取价格

 		MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DMMT5551-T MCC

获取价格

 		Transistor
DMMT5551-TP MCC

获取价格

 		Plastic-Encapsulate Transistors
DMM-XX-R-N-P-MT-V0 ADAM-TECH

获取价格

 		2
DMM-XX-S-N-P1-V0 ADAM-TECH

获取价格

 		2
DMM-XX-S-N-P1-V0-HT ADAM-TECH

获取价格

 		2
DMM-XX-S-N-P-V0 ADAM-TECH

获取价格

 		2

与DMMT5551P相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证