DMMT5401

更新时间： 2024-11-02 06:54:15

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美微科 - MCC		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
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2页	79K
描述
Plastic-Encapsulate Transistors

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DMMT5401 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.52	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

DMMT5401 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

DMMT5401

Micro Commercial Components

Features

•

Ideal for Low Power Amplification and Switching

Ultra-small Surface Mount Package

Epitaxial Planar Die Construction

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1

Plastic-Encapsulate

Transistors

•

x Marking:K4S

Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Power Dissipation---

Rating

-150

Unit

SOT-363

-160

-5

-0.2

P_D

T_J

0.2

-55 to +150

Operating Junction Temperature

E₁

E₂

C₂

T_STG

Storage Temperature

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-1mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-100uAdc, I_E=0)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_E=-10uAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=-120Vdc,I_E=0)

Min

Max

Units

C₁

B₁

B₂

V_(BR)CEO

-150

---

Vdc

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

-160

-5

---

Vdc

---

0.05

-0.05

Emitter Cutoff Current

(V_EB=-3Vdc,I_C=0)

I_EBO

---

DC Current Gain

h_FE

(I_C=-1mAdc, V_CE=-5Vdc)

(I_C=-10mAdc, V_CE=-5Vdc)

(I_C=-50mAdc, V_CE=-5Vdc)

---

240

---

DIMENSIONS

INCHES

MIN

DIM

MAX

.012

.053

.087

MIN

MAX

0.30

1.35

2.20

NOTE

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-10mAdc, I_B=-1mAdc)

(I_C=-50mAdc, I_B=-5mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-10mAdc, I_B=-1mAdc)

(I_C=-50mAdc, I_B=-5mAdc)

.004

.045

.079

0.10

1.15

2.00

V_CE(sat)

---

-0.2

-0.5

Vdc

.026

0.65Nominal

.012

.071

---

.016

.087

.004

.039

.016

0.30

0.40

2.20

0.10

1.00

0.40

0.25

V_BE(sat)

---

-1

1.80

---

.035

.010

.004

0.90

0.25

0.10

Current Gain-Bandwidth Product

(V_CE=-10Vdc, I_C=-10mAdc, f=100MHz)

Output Capacitance

(V_CB=-10Vdc, f=1.0MHz, I_E=0)

Noise Figure

(V_CE=-5V,I_C=-0.2mA, f=1KHz, R_S=10=)

f_T

100

---

300

6.0

MHz

C_ob

---

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: 3

2008/01/01

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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