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DME914C10R

更新时间： 2024-09-10 19:55:19

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	985K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 2-Element, NPN and PNP, Silicon

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DME914C10R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.99	Samacsys Description：	DME914C10R, Dual Digital Transistor, NPN, PNP 100 (NPN) mA, -500 (PNP) mA -12 (PNP) V, 50 (NPN) V 4.7 (NPN) kΩ,
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	最小直流电流增益 (hFE)：	80
元件数量：	2	极性/信道类型：	NPN/PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.125 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

DME914C10R 数据手册

DME914C1

Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)

Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)

Unit: mm

For digital circuits

 Features

 High forward current transfer ratio h_FE

 Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

 Halogen-free / RoHS compliant

(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL: Level 1 compliant)

ꢀMarking Symbol: T5

ꢀBasic Part Number

DSA9402 + DRA2143Z (Individual)

1: Emitter (Tr1)

2: Base (Tr1)

3: Collector (Tr2)

Panasonic

4: Emitter (Tr2)

 Packaging

5: Base (Tr2)

6: Collector (Tr1)

SSMini6-F3-B

SC-107C

DME914C10R Embossed type (Thermo-compression sealing): 8000 pcs / reel (standard)

ꢀAbsolute Maximum Ratings T_a= 25°C

JEITA

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Tr1 Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

–15

Unit

Code

SOT-666

(C1) (B2) (E2)

–12

–5

R₁

R₂

Tr1

–500

–1

Tr2

Peak collector current

I_CP

Collector-base voltage (Emitter open)

Tr2 Collector-emitter voltage (Base open)

Collector current

V_CBO

V_CEO

I_C

(E1) (B1) (C2)

R₁

Tr2

4.7

kΩ

Resistance

value

100

°C

R₂

Total power dissipation

P_T

125

Junction temperature

Overall

T_j

150

Operating ambient temperature

T_opr

–40 to +85

–55 to +150

Storage temperature

stg

Publication date: January 2014

Ver. DED

12 3 4 5 6

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