5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> DME800
DME800 PDF预览

DME800

更新时间： 2024-09-10 03:30:03
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体射频双极晶体管脉冲电子放大器航空局域网
页数 文件大小 规格书
4页 263K
描述
800 Watts, 50 Volts Pulsed Avionics 1025 to 1150 MHz

阅读下载

中文翻译

获取价格

DME800 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.63
Is Samacsys：N外壳连接：BASE
最大集电极电流 (IC)：50 A配置：SINGLE
最高频带：L BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DME800 数据手册

 浏览型号DME800的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DME800的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DME800的Datasheet PDF文件第4页 
DME800  
800 Watts, 50 Volts  
Pulsed Avionics 1025 to 1150 MHz  
GENERAL DESCRIPTION  
CASE OUTLINE  
55ST-1  
The DME800 is a high power COMMON BASE bipolar transistor. It is  
designed for pulsed DME systems at 1025 to 1150 MHz, with the pulse width  
and duty required for DME applications. The device has gold thin-film  
metalization for proven highest MTTF. The transistor includes input and output  
prematch for broadband capability. Low thermal resistance package reduces  
junction temperature, extends life.  
(Common Base)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Maximum Power Dissipation  
Device Dissipation @25°C1  
2500 W  
Maximum Voltage and Current  
Collector to Base Voltage (BVces)  
65 V  
3 V  
Emitter to Base Voltage (BVebo  
)
Collector Current (Ic)  
50 A  
Maximum Temperatures  
Storage Temperature  
-65 to +200 °C  
+200 °C  
Operating Junction Temperature  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C  
SYMBOL CHARACTERISTICS  
TEST CONDITIONS  
MIN TYP MAX UNITS  
Pout  
Pg  
Power Out  
Pulse Width = 10 µs,  
Pin = 100 Watts  
800  
9.0  
40  
-9  
1000  
10.0  
W
Power Gain  
dB  
Vcc = 50 Volts  
Collector Efficiency  
Return Loss  
Rise Time  
%
dB  
ns  
ηc  
F = 1025-1150 MHz  
Long Term Duty Factor = 1%  
RL  
Tr  
Pd  
VSWR  
200  
0.7  
Pulse Droop  
dB  
Load Mismatch Tolerance1  
3.0:1  
F = 1025 MHz  
FUNCTIONAL CHARACTERISTICS @ 25°C  
BVebo  
BVces  
hFE  
Emitter to Base Breakdown  
Collector to Emitter Breakdown Ic = 50 mA  
DC – Current Gain  
Thermal Resistance  
Ie = 20 mA  
3.5  
65  
20  
V
V
Vce = 5V, Ic = 600mA  
θjc2  
°C/W  
0.04  
0.06  
NOTES: 1. At rated output power and pulse conditions  
2. At rated pulse conditions  
Issued June 2003  
Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.  
Visit our web site at www.advancedpower.com or contact our factory direct.  
1234

中文翻译

下载PDF

与DME800相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DME914C1 PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
DME914C10R PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 2-Element, NPN and PNP, Silicon
DME-A-02-V ADAM-TECH

获取价格

 		WIRE TO BOARD A TYPE 2 POLES
DME-A-03-V ADAM-TECH

获取价格

 		Receptacle
DME-A-03-V-MT ADAM-TECH

获取价格

 		WIRE TO WIRE FEMALE 3 POLES
DME-A-03-V-V0 ADAM-TECH

获取价格

 		Receptacle
DME-A-04-V ADAM-TECH

获取价格

 		Receptacle
DME-A-06-SQ ADAM-TECH

获取价格

 		Receptacle
DME-A-09-SQ ADAM-TECH

获取价格

 		Receptacle
DME-A-FX-AN8740 ADAM-TECH

获取价格

 		Tin

与DME800相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证