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DME3057

更新时间： 2024-02-02 16:05:55

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ASI		二极管
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描述
SCHOTTKY MEDIUM BARRIER DIODE

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DME3057 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	S-XXMW-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.79	配置：	SINGLE
最大二极管电容：	0.3 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	JESD-30 代码：	S-XXMW-F2
最大噪声指数：	6.5 dB	元件数量：	1
端子数量：	2	最大工作频率：	12 GHz
最小工作频率：	8.2 GHz	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	MICROWAVE
最大功率耗散：	0.075 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Microwave Mixer Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	UNSPECIFIED	肖特基势垒类型：	MEDIUM BARRIER
Base Number Matches：	1

DME3057 数据手册

DME3057

SCHOTTKY MEDIUM BARRIER DIODE

PACKAGE STYLE 820

DESCRIPTION:

The ASI DME3057 is a Medium Barrier

Schottky Diode designed for General

Purpose Mixer Applications.

FEATURES INCLUDE:

• Small size

• Ideal for MIC

MAXIMUM RATINGS:

75 mW @ T_A= 25 °C

-65 °C to +175 °C

1000 °C/W

P_DISS

T_J

T_STG

θ_JC

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

V_B

I_R= 10 µA

I_F= 1 mA

I_F= 10 mA

V_R= 0 V

3.0

V_F

R_S

C_J

325

425

8.0

Ω

f = 1.0 MHz

0.15

0.30

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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