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DMC2004VK-7

更新时间： 2024-01-31 17:03:04
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美台 - DIODES 晶体晶体管场效应晶体管
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7页 367K
描述
COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMC2004VK-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：19 weeks
风险等级：5.78其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.67 A最大漏极电流 (ID)：0.67 A
最大漏源导通电阻：0.55 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：20 pFJESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

DMC2004VK-7 数据手册

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DMC2004VK  
COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Low On-Resistance  
•
•
Case: SOT-563  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding  
Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminal Connections: See Diagram  
Terminals: Finish – Matte Tin annealed over Copper  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Marking Information: See Page 6  
Ordering Information: See Page 6  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
Low Gate Threshold Voltage VGS(th) <1V  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
•
•
•
Low Input/Output Leakage  
Complementary Pair MOSFET  
Ultra-Small Surface Mount Package  
Lead Free/RoHS Compliant (Note 2)  
ESD Protected Gate  
"Green" Device (Note 3)  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
•
•
•
SOT-563  
D1  
G2  
S2  
Q2  
Q1  
ESD protected  
TOP VIEW  
S1  
BOTTOM VIEW  
G1  
D2  
TOP VIEW  
Internal Schematic  
Maximum Ratings N-CHANNEL – Q1 @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
VDSS  
Value  
20  
Unit  
V
Drain Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGSS  
±8  
T
T
A = 25°C  
A = 85°C  
670  
480  
Drain Current (Note 1)  
mA  
ID  
Maximum Ratings P-CHANNEL – Q2 @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
VDSS  
Value  
-20  
Unit  
V
Drain Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGSS  
±8  
T
T
A = 25°C  
A = 85°C  
-530  
-380  
Drain Current (Note 1)  
mA  
ID  
Thermal Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Power Dissipation (Note 1)  
Symbol  
PD  
Rθ  
Value  
400  
Unit  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
312.5  
°C/W  
°C  
JA  
-65 to +150  
Tj, TSTG  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB.  
2. No purposefully added lead.  
3. Diodes Inc.’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
1 of 7  
www.diodes.com  
November 2007  
© Diodes Incorporated  
DMC2004VK  
Document number: DS30925 Rev. 4 - 2  
1234567

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DMC2004VK-7 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AO5600E AOS

功能相似

 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

与DMC2004VK-7相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DMC20101 PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MO-178A
DMC20171NY-LY-B OPTREX

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 		LCD Module Specification
DMC201A0 PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
DMC201A00R PANASONIC

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