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DMA366A5

更新时间： 2024-09-16 21:22:11

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	247K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SSSMINI6-F2-B, 6 PIN

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DMA366A5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	最大集电极电流 (IC)：	0.08 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.125 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DMA366A5 数据手册

DMA366A5

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Tentative

DMA366A5

Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)

Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)

For digital circuits

Marking Symbol : L3

Package Code : SSSMini6-F2-B

Internal Connection

Absolute Maximum RatingsꢀTa = 25 °C

Tr 2

Parameter

Symbol

VCBO

VCEO

Rating

-50

-80

125

Unit

°C

Tr 1

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector current

Tr1

Tr2

Total power dissipation

Overall

Junction temperature

150

-55 to +150

Storage temperature

Tstg

°C

Note: 1.

Resistance

value

*1 Measuring on substrate at 17 mm × 10 mm × 1 mm

kΩ

Pin name

Emitter(Tr1)

Collector(Tr2)

5. Base(Tr1)

Collector(Tr1)

2. Emitter(Tr2)

3. Base(Tr2)

Electrical CharacteristicsꢀTa = 25 °C ±3 °C

Tr1,Tr2

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Symbol

VCBO IC = -10 μA, IE = 0

Conditions

Min Typ Max

-50

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)ꢀ^*1

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

VCEO IC = -2 mA, IB = 0

-50

ICBO

ICEO

IEBO

hFE

VCB = -50 V, IE = 0

VCE = -50 V, IB = 0

VEB = -6 V, IC = 0

-0.1

-0.5

-0.01

460

-0.25

μA

VCE = -10 V, IC = -5 mA

160

-1.2

Collector-emitter saturation voltage

VCE(sat) IC = -10 mA, IB = -0.5 mA

Vi(on) VCE = -0.2 V, IC = -5 mA

Vi(off) VCE = -5 V, IC = -100 μA

Input voltage

-0.4

kΩ

Input resistance

-30% 10 +30%

Note: 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 Measuring

methods for transistors.

2. *1 Pulse measurement

Packing

Embossed type (Thermo-compression sealing) R specification : 10 000 pcs / reel

2010.3.10

Prepared

2010.9.24

Revised

Semiconductor Company, Panasonic Corporation

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DMA366AM	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SSSMIN
DMA366AN	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SSSMIN
DMA40U1800GU	LITTELFUSE	获取价格	三相桥系列提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
DMA44	MICROSEMI	获取价格	IGBTVSTM AC LINE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
DMA50101	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
DMA501010R	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, HALOGEN
DMA50201	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMINI5-F
DMA502010	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
DMA502010R	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, HALOGEN
DMA50401	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMINI6-F

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