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DMA366A1 PDF预览

DMA366A1

更新时间： 2024-09-16 20:06:43
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 248K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SSSMINI6-F2-B, 6 PIN

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DMA366A1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.74其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.08 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：35
JESD-30 代码：R-PDSO-F6元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.125 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DMA366A1 数据手册

 浏览型号DMA366A1的Datasheet PDF文件第2页 
DMA366A1  
Total pages  
page  
Tentative  
DMA366A1  
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)  
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)  
For digital circuit  
Marking Symbol : F2  
Package Code : SSSMini6-F2-B  
Internal Connection  
6
5
4
Absolute Maximum RatingsꢀTa = 25 °C  
R1  
Tr 2  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Rating  
-50  
-50  
-80  
Unit  
V
V
mA  
mW  
°C  
Tr 1  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector current  
R2  
R1  
Tr1  
Tr2  
R2  
*1  
PT  
125  
150  
-55 to +150  
Total power dissipation  
Overall  
Junction temperature  
Tj  
1
2
3
Storage temperature  
Tstg  
°C  
Note:  
Resistance  
value  
10  
10  
*1 Measuring on substrate at 17 mm × 10 mm × 1 mm  
R1  
R2  
kΩ  
kΩ  
Pin name  
Emitter(Tr1)  
Collector(Tr2)  
1.  
4.  
5. Base(Tr1)  
Collector(Tr1)  
2. Emitter(Tr2)  
3. Base(Tr2)  
6.  
Electrical CharacteristicsꢀTa = 25 °C ±3 °C  
Tr1、Tr2  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Symbol  
VCBO IC = -10 μA, IE = 0  
Conditions  
Min Typ Max  
-50  
Unit  
V
Collector-emitter voltage (Base open)ꢀ*1  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
VCEO IC = -2 mA, IB = 0  
-50  
V
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCB = -50 V, IE = 0  
VCE = -50 V, IB = 0  
VEB = -6 V, IC = 0  
-0.1  
-0.5  
-0.5  
μA  
μA  
mA  
-
VCE = -10 V, IC = -5 mA  
35  
Collector-emitter saturation voltage  
VCE(sat) IC = -10 mA, IB = -0.5 mA  
-0.25  
V
Vi(on) VCE = -0.2 V, IC = -5 mA  
Vi(off) VCE = -5 V, IC = -100 μA  
-2.1  
Input voltage  
V
-0.8  
Input resistance  
Resistance ratio  
R1  
R1/R2  
-30% 10 +30%  
kΩ  
-
0.8  
1.0  
1.2  
Note: 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 Measuring  
methods for transistors.  
2. *1 Pulse measurement  
Packing  
Embossed type (Thermo-compression sealing) R specification : 10 000 pcs / reel  
2010.3.10  
Prepared  
2010.9.22  
Revised  
Semiconductor Company, Panasonic Corporation  
12

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