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DMA364A7 PDF预览

DMA364A7

更新时间： 2024-11-21 21:17:39
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 247K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SSSMINI6-F2-B, 6 PIN

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DMA364A7 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.71最大集电极电流 (IC)：0.08 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：160JESD-30 代码：R-PDSO-F6
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.125 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DMA364A7 数据手册

 浏览型号DMA364A7的Datasheet PDF文件第2页 
DMA364A7  
Total pages  
page  
Tentative  
DMA364A7  
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)  
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)  
For digital circuits  
Marking Symbol : N8  
Package Code : SSSMini6-F2-B  
Internal Connection  
6
5
4
Absolute Maximum RatingsꢀTa = 25 °C  
R1  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Rating  
-50  
-50  
-80  
Unit  
V
V
mA  
mW  
°C  
Tr 1  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector current  
Tr1  
Tr2  
Tr 2  
R1  
*1  
PT  
125  
150  
-55 to +150  
Total power dissipation  
Overall  
Junction temperature  
Tj  
1
2
3
Storage temperature  
Tstg  
°C  
Note: 1.  
Resistance  
value  
*1 Measuring on substrate at 17 mm × 10 mm × 1 mm  
22  
R1  
kΩ  
Pin name  
Emitter(Tr1)  
1.  
2. Base(Tr1)  
Collector(Tr2)  
4. Emitter(Tr2)  
5. Base(Tr2)  
Collector(Tr1)  
6.  
3.  
Electrical CharacteristicsꢀTa = 25 °C ±3 °C  
Tr1,Tr2  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Symbol  
VCBO IC = -10 μA, IE = 0  
Conditions  
Min Typ Max  
-50  
Unit  
V
Collector-emitter voltage (Base open)ꢀ*1  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
VCEO IC = -2 mA, IB = 0  
-50  
V
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCB = -50 V, IE = 0  
VCE = -50 V, IB = 0  
VEB = -6 V, IC = 0  
-0.1  
-0.5  
-0.01  
460  
-0.25  
μA  
μA  
mA  
-
VCE = -10 V, IC = -5 mA  
160  
-1.8  
Collector-emitter saturation voltage  
VCE(sat) IC = -10 mA, IB = -0.5 mA  
Vi(on) VCE = -0.2 V, IC = -5 mA  
Vi(off) VCE = -5 V, IC = -100 μA  
R1  
V
Input voltage  
V
-0.4  
Input resistance  
-30% 22 +30%  
kΩ  
Note: 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 Measuring  
methods for transistors.  
2. *1 Pulse measurement  
Packing  
Embossed type (Thermo-compression sealing) R specification : 10 000 pcs / reel  
2010.3.10  
Prepared  
2010.9.22  
Revised  
Semiconductor Company, Panasonic Corporation  
12

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