5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP16,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | JESD-30 代码： | R-PDIP-T16 |
| JESD-609代码： | e0 | 逻辑集成电路类型： | NAND GATE |
| 最大I（ol）： | 0.016 A | 端子数量： | 16 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP16,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 最大电源电流（ICC）： | 35 mA | Prop。Delay @ Nom-Sup： | 15 ns |
| 施密特触发器： | NO | 子类别： | Gates |
| 表面贴装： | NO | 技术： | TTL |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DM8099N/B+ | TI |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT NAND,TTL,DIP,16PIN,PLASTIC |
|
| DM8099W | ETC |
获取价格 |
Quad 2-input NAND Gate |
|
| DM80L06N | NSC |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT NAND,L-TTL,DIP,14PIN,PLASTIC |
|
| DM80L06N/A+ | ETC |
获取价格 |
Quad 2-input NAND Gate |
|
| DM80L06N/B+ | ETC |
获取价格 |
Quad 2-input NAND Gate |
|
| DM80L95 | ETC |
获取价格 |
TRI-STATE Hex Buffers |
|
| DM80L95J | TI |
获取价格 |
IC,BUFFER/DRIVER,SINGLE,6-BIT,L-TTL,DIP,16PIN,CERAMIC |
|
| DM80L95N | NSC |
获取价格 |
IC,BUFFER/DRIVER,SINGLE,6-BIT,L-TTL,DIP,16PIN,PLASTIC |
|
| DM80L95N/A+ | TI |
获取价格 |
IC,BUFFER/DRIVER,SINGLE,6-BIT,L-TTL,DIP,16PIN,PLASTIC |
|
| DM80L95N/B+ | TI |
获取价格 |
IC,BUFFER/DRIVER,SINGLE,6-BIT,L-TTL,DIP,16PIN,PLASTIC |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
